SRAM与DRAM-改错

💡 TIP

SRAM与DRAM改错

相关链接|SRAM和DRAM

1. 动态RAM采用哪种刷新方式刷新时，不存在死时间

   • 集中刷新：集中刷新必然存在死时间
   • 分散刷新：机器的存取周期中的一段时间用来读/写，另一段时间用来刷新，因此不存在死时间，但存取周期变长
   • 异步刷新：异步刷新虽然缩短了死时间，但死时间依然存在

💡 TIP

关于芯片引脚数的计算：

1. 某一DRAM芯片，采用地址复用技术，其容量为$1024*8$位，除电源和接地端外，该芯片的引脚数最少是？

   • $1024*8$位，因此可寻址范围是$1024B = 2^{10}B$，按字节寻址。采用地址复用技术时，通过行通选和列通选分行、列两次传送地址信号，因此地址线减半为5根，数据线仍为$8$根；加上行通选和列通选及读/写（片选线用行通选代替）4根，总共是$17$根

   总结：

   DRAM，动态RAM的地址计算

   $引脚数 = \text{地址线(复用，减半)} + 数据线 + \text{行/列通选(2根)} + \text{读/写(两根)}$

💡 TIP

关于不同访存方式的耗时计算

1. 某机器采用四体交叉存储器，现分别执行下述操作：

   • 读取$6$个连续地址单元中存放的存储字，重复80次
   • 读取$8$个连续地址单元中存放的存储字，重复60次

   则前一操作和后一操作所花费的时间之比为?

   

   📝 NOTE

   在做该类型的题目时，要根据不同的访存策略，画出每个存储器访问状态的甘特图!

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(完)